屏蔽室的有效性是用屏蔽效能來(lái)度量的，屏蔽效能定義為：電磁場(chǎng)中同一地點(diǎn)沒(méi)有屏蔽存在時(shí)電磁場(chǎng)強度E1與有效屏蔽時(shí)的電磁場(chǎng)強度E2的比值，它表征了屏蔽體對電磁波的衰減程度。用于電磁兼容目的的屏蔽室通常能將電磁波的強度衰減到原來(lái)的百分之一甚至百萬(wàn)分之一，因此通常用分貝來(lái)表述屏蔽效能。

屏蔽效能定義為：沒(méi)有屏蔽體時(shí)空間某點(diǎn)的電場(chǎng)強度E₀ (或磁場(chǎng)強度H₀)與有屏蔽體時(shí)被屏蔽空間在該點(diǎn)的電場(chǎng)強度E₁(或磁場(chǎng)強度H₁)之比。由下式表示

在屏蔽效能的計算與測試中，往往會(huì )遇到場(chǎng)強值相差非常懸殊(甚至達千百萬(wàn)倍的信號)。為了便于表達、敘述和運算(變乘除為加減)，常采用對數單位——分貝(dB)進(jìn)行度量。定義為

在1GHz以上微波頻段，由于功率測量比E和H測量方便，下式也被接受為S的定義。

式中，P₀－無(wú)屏蔽體時(shí)之功率；P₁－有屏蔽時(shí)被屏蔽空間內該點(diǎn)的功率。

特別提示：屏蔽材料的選擇與所需達到的屏蔽效指標能有著(zhù)密切關(guān)系，屏蔽材料選擇應注意以下方面：

（1）金屬鐵磁材料適用于低頻(f<300Hz)磁場(chǎng)的磁屏蔽。較常用的有純鐵、鐵硅合金（即硅鋼等）、鐵鎳軟磁合金（即坡莫合金）等。相對磁導率μr越高，屏蔽效果越好；層數越多，屏蔽也越好。

（2）非金屬磁性材料——鐵氧體磁性材料該材料在高頻時(shí)具有較高的磁導率，電導率較大，且具有較高的介電性能，已廣泛應用于高頻弱電領(lǐng)域。

（3）良導體材料適用于高頻電磁場(chǎng)、低頻電場(chǎng)以及靜電場(chǎng)的屏蔽。高頻電磁場(chǎng)及低頻電場(chǎng)的屏蔽應選用高電導率良導體（如銅、鋁等）。常用的屏蔽薄板材除了銅板、鋁板等外，還常用鈹青銅、錫磷青銅等（具有彈性）作開(kāi)啟的門(mén)蓋。

作為通風(fēng)用屏蔽網(wǎng)，通常采用紫銅絲制作。用于頻率不大于100MHz的大面積通風(fēng)窗孔。網(wǎng)孔越小、線(xiàn)徑越粗，屏蔽越好。f>lOOMHz時(shí)，金屬絲網(wǎng)屏蔽效能明顯下降。

電磁屏蔽材料的選用原則：

（1）應根據使用環(huán)境（即干擾揚的性質(zhì)、使用頻率）選用屏蔽材料。

（2）必須考慮合適的性（能）價(jià)（格）比。不可片面追求屏蔽效能。

（3）冷軋取向硅鋼片（DQ型）在軋制方向使用時(shí)，能充分利用其磁性能，降低損耗；而當需要無(wú)取向屏蔽時(shí)，應選擇DW型冷軋無(wú)取向硅鋼片。④對于強磁場(chǎng)的屏蔽，可采用雙層磁屏蔽體的結構。支撐件接地一般選用良導體，以防電場(chǎng)感應。

（4）應注意綜合使用接地、屏蔽、濾波等措施。屏蔽的效能與接地密切相關(guān)。屏蔽體應接地，而且應單點(diǎn)接地，以避免在屏蔽體內形成回路，造成干擾而引起屏蔽效能下降。電纜的屏蔽頗有講究：低頻電路可單端接地；磁場(chǎng)屏蔽應兩端接地；高頻電路除雙端接地外，應每隔0.1λ（波長(cháng)）距離接一次地。且與屏蔽外殼良好焊接。

屏蔽與濾波相結合，容易引入電磁干擾的I/O接口和電源線(xiàn)輸人口應分別采用信號濾波器和電源濾波器，方能保證屏蔽效能。

應用屏蔽措施時(shí)應注意：

（1）鐵磁屏蔽會(huì )使元件電感增加，電磁屏蔽使元件電感減小；

（2）電磁屏蔽使電感元件有功損耗上升。品質(zhì)因數Q下降；

（3）無(wú)論電磁或鐵磁屏蔽，接地后都兼有靜電屏蔽作用。

特別提示：不可忽略的屏蔽室接地問(wèn)題

作為專(zhuān)業(yè)用途的電磁屏蔽室，接地方式與工藝的有效性與合理性顯得非常關(guān)鍵。

一般而言，接地的首要作用是電氣的“**接地”，也就是將屏蔽室的地與大地電位相連。其次，受各種通信方式的限制，采用一個(gè)公共的基準電位也為通信的可靠進(jìn)行提供了優(yōu)先條件。

此外，經(jīng)過(guò)實(shí)驗室測試數據證明，單點(diǎn)接地的屏蔽效能明顯優(yōu)于多點(diǎn)接地。接地線(xiàn)的長(cháng)短對屏蔽效能影響不明顯，而對信號泄漏有影響。屏蔽接地線(xiàn)比裸露接地線(xiàn)信號泄漏小。

接地電阻應盡可能地小，一般可以分為小于4Ω、小于2Ω和小于1Ω。且建議采用高導電率的扁平狀導體，如雙層銅編織帶。